您現(xiàn)在的位置：公務(wù)員期刊網(wǎng) SCI期刊 SCIE期刊 工程技術(shù) 中科院4區(qū) JCRQ3 期刊介紹(非官網(wǎng))
Ieee Transactions On Nanotechnology

IEEE納米技術(shù)匯刊
國(guó)際簡(jiǎn)稱(chēng)：IEEE T NANOTECHNOL

Ieee Transactions On Nanotechnology

SCIE

按雜志級(jí)別劃分： 中科院1區(qū) 中科院2區(qū) 中科院3區(qū) 中科院4區(qū)

  • 4區(qū) 中科院分區(qū)
  • Q3 JCR分區(qū)
  • 109 年發(fā)文量
  • 100.00% 研究類(lèi)文章占比
  • 8.41% Gold OA文章占比
ISSN：1536-125X
創(chuàng)刊時(shí)間：2002
是否預(yù)警：否
E-ISSN：1941-0085
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否OA：未開(kāi)放
出版語(yǔ)言：English
出版周期：Quarterly
影響因子：2.1
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
審稿周期： 約3.0個(gè)月
CiteScore：4.8
H-index：73
出版國(guó)人文章占比：0.2
開(kāi)源占比：0.1101
文章自引率：0.0833...

Ieee Transactions On Nanotechnology雜志簡(jiǎn)介

Ieee Transactions On Nanotechnology是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商主辦的工程技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)學(xué)術(shù)期刊，自2002年創(chuàng)刊以來(lái)，一直以高質(zhì)量的內(nèi)容贏得業(yè)界的尊重。該期刊擁有正式的刊號(hào)（ISSN：1536-125X，E-ISSN：1941-0085），出版周期Quarterly，其出版地區(qū)設(shè)在UNITED STATES。該期刊的核心使命旨在推動(dòng)工程技術(shù)專(zhuān)業(yè)及ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC學(xué)科界的教育研究與實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的交流，發(fā)表同行有創(chuàng)見(jiàn)的學(xué)術(shù)論文，提倡學(xué)術(shù)爭(zhēng)鳴，激發(fā)學(xué)術(shù)創(chuàng)新，開(kāi)展國(guó)際間學(xué)術(shù)交流，為工程技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展注入活力。

該期刊文章自引率0.0833...，開(kāi)源內(nèi)容占比0.1101，出版撤稿占比0，OA被引用占比0，讀者群體主要包括工程技術(shù)的專(zhuān)業(yè)人員，研究生、本科生以及工程技術(shù)領(lǐng)域愛(ài)好者，這些讀者群體來(lái)自全球各地，具有廣泛的學(xué)術(shù)背景和興趣。Ieee Transactions On Nanotechnology已被國(guó)際權(quán)威學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)“ SCIE（Science Citation Index Expanded） ”收錄，方便全球范圍內(nèi)的學(xué)者和研究人員檢索和引用，有助于推動(dòng)ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的研究進(jìn)展和創(chuàng)新發(fā)展。

CiteScore（2024年最新版）

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.435
  • SNIP：0.783
學(xué)科類(lèi)別 分區(qū) 排名 百分位
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Electrical and Electronic Engineering Q2 278 / 797

65%
大類(lèi)：Engineering 小類(lèi)：Computer Science Applications Q2 330 / 817

59%

CiteScore: 這一創(chuàng)新指標(biāo)力求提供更為全面且精確的期刊評(píng)估，打破了過(guò)去僅依賴(lài)單一指標(biāo)如影響因子的局限。它通過(guò)綜合廣泛的引用數(shù)據(jù)，跨越多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域，從而確保了更高的透明度和開(kāi)放性。作為Scopus中一系列期刊指標(biāo)的重要組成部分，包括SNIP（源文檔標(biāo)準(zhǔn)化影響）、SJR（SCImago雜志排名）、引用文檔計(jì)數(shù)以及引用百分比。Scopus整合以上指標(biāo)，幫助研究者深入了解超過(guò)22,220種論著的引用情況。您可在Scopus Joumal Metrics website了解各個(gè)指標(biāo)的詳細(xì)信息。

CiteScore分區(qū)值與影響因子值數(shù)據(jù)對(duì)比

Ieee Transactions On Nanotechnology中科院分區(qū)表

中科院分區(qū) 2023年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2022年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月基礎(chǔ)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2021年12月升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū) 2020年12月舊的升級(jí)版
大類(lèi)學(xué)科 分區(qū) 小類(lèi)學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 否 否
中科院分區(qū)表歷年分布趨勢(shì)圖

WOS期刊JCR分區(qū)（2023-2024年最新版）

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 192 / 352

45.6%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 286 / 438

34.8%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 105 / 140

25.4%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 109 / 179

39.4%
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 200 / 354

43.64%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q3 255 / 438

41.89%
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 82 / 140

41.79%
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 106 / 179

41.06%

JCR（Journal Citation Reports）分區(qū)，也被稱(chēng)為JCR期刊分區(qū)，是由湯森路透公司（現(xiàn)在屬于科睿唯安公司）制定的一種國(guó)際通用和公認(rèn)的期刊分區(qū)標(biāo)準(zhǔn)。JCR分區(qū)基于SCI數(shù)據(jù)庫(kù)，按照期刊的影響因子進(jìn)行排序，按照類(lèi)似等分的方式將期刊劃分為四個(gè)區(qū)：Q1、Q2、Q3和Q4。需要注意的是，JCR分區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)與中科院JCR期刊分區(qū)（又稱(chēng)分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）存在不同之處。例如，兩者的分區(qū)數(shù)量不同，JCR分為四個(gè)區(qū)，而中科院分區(qū)則分為176個(gè)學(xué)科，每個(gè)學(xué)科又按照影響因子高低分為四個(gè)區(qū)。此外，兩者的影響因子取值范圍也存在差異。

歷年發(fā)文數(shù)據(jù)

年份 年發(fā)文量
2014 161
2015 142
2016 124
2017 147
2018 180
2019 129
2020 121
2021 118
2022 106
2023 109

期刊互引關(guān)系

被他刊引用情況
期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
IEEE T NANOTECHNOL 128
IEEE ACCESS 89
IEEE T ELECTRON DEV 88
MICROELECTRON J 47
IEEE SENS J 44
NANOTECHNOLOGY 42
MICROSYST TECHNOL 38
IEEE T VLSI SYST 37
J ELECTRON MATER 37
MATER RES EXPRESS 36
引用他刊情況
期刊名稱(chēng) 引用次數(shù)
APPL PHYS LETT 177
IEEE T ELECTRON DEV 134
IEEE T NANOTECHNOL 128
NANO LETT 107
J APPL PHYS 100
ACS NANO 91
NATURE 90
SCIENCE 77
SENSOR ACTUAT B-CHEM 74
IEEE ELECTR DEVICE L 70
若用戶(hù)需要出版服務(wù)，請(qǐng)聯(lián)系出版商：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。

相關(guān)國(guó)內(nèi)期刊